Das Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) ist eine anwendungsorientierte Forschungseinrichtung auf den Gebieten der Hochfrequenzelektronik, Photonik und Quantenphysik. Das FBH erforscht elektronische und optische Komponenten, Module und Systeme auf der Basis von Verbindungshalbleitern. Diese sind Schlüsselbausteine für Innovationen in den gesellschaftlichen Bedarfsfeldern Kommunikation, Energie, Gesundheit und Mobilität. Es verfügt über die gesamte Wertschöpfungskette vom Design bis zu lieferfertigen Systemen.
In der Abteilung Prozesstechnologie suchen wir für die Gruppe Beschichtungstechnologien Unterstützung im Bereich der plasmaunterstützten Abscheidung von Siliziumnitrid-Schichten.
Kennziffer 25/22
Ihre Aufgaben
An verschiedenen PECVD Anlagen erarbeiten Sie Abscheideprozesse, um eine gezielte mechanische Verspannung der Siliziumnitrid-Schichten zu realisieren. Sie präparieren, charakterisieren und optimieren die dünnen Filme und leisten einen wichtigen Beitrag zur Entwicklung und Verbesserung GaN-basierter Bauelemente. Sie kommunizieren Ihre Ergebnisse auf wissenschaftlichen Tagungen und nutzen sie für Ihre Promotion.
Ihr Profil
Sie verfügen über ein abgeschlossenes Hochschul-Studium mit Master oder Diplom in Materialwissenschaft, Physik oder eines angrenzenden natur- oder ingenieurwissenschaftlichen Studiengangs. Sie besitzen fundiertes Fachwissen in einem oder mehreren der folgenden Bereiche:
- CVD-basierte Abscheidung
- Fertigungsprozesse der Mikrotechnologie
- III/V-basierte Halbleiterbauelemente
- Elektrische Charakterisierung GaN-basierter Bauelemente
Erwartet wird ein hohes Maß an Eigeninitiative und die Fähigkeit, sich schnell in neue Problemstellungen einzuarbeiten sowie im Team Verantwortung zu übernehmen. Sie begeistern sich für technisch-wissenschaftliche Themen mit starkem Anwendungsbezug. Ihre kommunikativen Fähigkeiten ermöglichen es Ihnen, auch teamübergreifend zu arbeiten. Die Eignung für die Arbeit in Reinsträumen wird vorausgesetzt.
Unser Angebot
Wir geben Ihnen die Möglichkeit zur Promotion in einer anspruchsvollen, interdisziplinären Tätigkeit bei der Entwicklung von neuartigen Halbleiterbauelementen. Es erwartet Sie ein kollegialer Umgang, ein familienfreundliches Umfeld und eine umfangreiche Infrastruktur in zwei Reinräumen, die alle Möglichkeiten zur kreativen Entfaltung bietet.
Anstellung, Vergütung und Sozialleistungen richten sich nach dem Tarifvertrag für den öffentlichen Dienst (TVöD Bund). Die Stelle kann zum nächstmöglichen Zeitpunkt besetzt werden und ist zunächst auf 2 Jahre befristet.
Das FBH unterstützt aktiv die Vereinbarkeit von Familie und Beruf. Ein besonderes Augenmerk kommt der Gleichstellung der Geschlechter zu. Das Institut ist bestrebt, den Anteil von Frauen in diesem Bereich zu erhöhen. Daher sind Bewerbungen von Frauen besonders willkommen. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt.
Haben wir Ihr Interesse geweckt? Dann freuen wir uns auf Ihre Online-Bewerbung. Dazu klicken Sie bitte auf „online bewerben“ und übermitteln uns auf diesem Wege Ihre vollständigen Bewerbungsunterlagen bis zum 30.06.2022.
Falls Sie noch Fragen zur Bewerbung haben, wenden Sie sich bitte an Frau Nadine Kelm:
Tel. 030 6392 2691
nadine.kelm@fbh-berlin.de.