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Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme
Was Sie erwartet
Das Fraunhofer ISE hält mit Photovoltaikzellen auf Basis von III-V Halbleitern wie z.B. GaAs dem Weltrekord für die Wandlung von solarer Strahlung in elektrische Leistung von 46% unter konzentriertem Sonnenlicht. Unter Laserbestrahlung sind sogar noch höhere Wirkungsgrade realisierbar. Dies wird in Power-by-Light Systemen genutzt, in denen Energie in Form von Laserlicht übertragen und am Empfänger mit Hilfe von photovoltaischen Laserleistungszellen zurück in elektrische Energie gewandelt wird. Für den zuverlässigen Betrieb von elektronischen Schaltungen sind typischerweise Spannungen im Bereich 3-12 V erforderlich. Da GaAs basierte Zellen demgegenüber aber nur etwa 1 V liefern, werden hier spezielle PV Zellarchitekturen eingesetzt, bei denen mehrere Zellsegmente bereits während der Fertigung auf dem Chip monolithisch seriell verschaltet werden, so dass sich die Ausgangsspannung entsprechend vervielfacht. Solche Multi-Segment Zellen werden auf semi-isolierenden Substraten hergestellt. Die Trennung der Segmente erfolgt durch nasschemisches Ätzen in das isolierende Substrat. Die Isolationsgräben werden im Anschluss mit einem dielektrischen Polyimid gefüllt. Die Verschaltung erfolgt schließlich über eine strukturierte Metallisierung auf der Vorderseite. Im Rahmen des Praktikums sollen Einflussfaktoren auf einzelne Prozessschritte während dieser Herstellungstechnologie im Reinraum untersucht werden und die Prozessparameter optimiert werden.

Ihre Aufgaben sind:
  • Prozessierung von GaAs basierten Multi-Segment PV Zellen im Reinraumlabor (Mikrostrukturierung, Photolithographie, nasschemisches Ätzen, Aufbringen und Strukturierung von dielektrischen Isolationsschichten, Aufdampfen von Metallkontakten)
  • Experimentelle Analyse von Einflussfaktoren auf einzelne Prozessschritte
  • Optimierung der Prozessparameter
  • Analyse von Teststrukturen mittels Mikroskopie (optisch, REM) / Querschnittpräparation mittels FIB / Oberflächenprofilometer, Weißlichtinterferenzmikroskopie
  • Aufbereitung und Auswertung von experimentellen Ergebnissen

Praktikum zum Thema: Reinraum-Prozesstechnologie für GaAs basierte Multi-Segment Photovoltaikzellen mit erhöhter Ausgangsspannung

Kennziffer: ISE-2016-371
Ihre Voraussetzungen:
  • Studium der Mikrosystemtechnik oder vergleichbar
  • Erfahrung in der Halbleiterprozessierung im Reinraum, nasschemisches Ätzes, Photolithographie, Mikrostrukturierung
  • Teamfähigkeit, eigenverantwortliche und strukturierte Arbeitsweise, Freude am Arbeiten im Reinraumlabor
  • gute MS-Office-Kenntnisse
  • gute Englischkenntnisse in Wort und Schrift
  • Das Praktikum muss in der Studienordnung vorgeschrieben sein


Allgemein:
Die Vergütung richtet sich nach den Richtlinien des Bundes über Praktikantenvergütungen.


Kontakt:
Bitte richten Sie Ihre Bewerbung mit allen wichtigen Unterlagen unter Angabe der Kennziffer an:
Bitte richten Sie Ihre Bewerbung unter Angabe der Kennziffer an:
henning.helmers@ise.fraunhofer.de
(Anschreiben, CV und Zeugnisse in einem pdf-Dokument mit max. 10 MB)

Fragen zu dieser Position beantwortet gerne:
Fragen zu dieser Position beantwortet gerne
Dr. Henning Helmers, Tel.: +49 (0)761 45 88-50 94
Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme
Freiburg

http://www.ise.fraunhofer.de


Erschienen auf academics.de am 04.11.2016
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